ПУТЬ ПРЕОДОЛЕНИЯ КРИЗИСНОЙ СИТУАЦИИ С ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗОЙ ВООРУЖЕНИЯ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ

НАУКА И ВОЕННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ № 2/2009, стр. 30-35

РАЗВИТИЕ ВООРУЖЕНИЯ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ

ПУТЬ ПРЕОДОЛЕНИЯ КРИЗИСНОЙ СИТУАЦИИ С ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗОЙ ВООРУЖЕНИЯ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ

УДК 621.382

Э.Г. ЛАЗАРЕВИЧ,

главный научный сотрудник

Научно-исследовательского института

Вооруженных Сил Республики Беларусь,

доктор технических наук, профессор

Полковник В.А. ЛИСОВСКИЙ,

начальник Научно-исследовательского института

Вооруженных Сил Республики Беларусь,

кандидат военных наук, доцент

В ряде публикаций журнала «Наука и военная безопасность» № 1; 2; 3 - 2006 г., № 2 - 2007 г., № 1 - 2008 г.) отмечалось неблагополучное состояние с элементной базой радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) образцов вооружения и военной техники (ВВТ), что создало ряд сложных проблем при эксплуатации, модернизации и создании новых образцов вооружения. Аналогичная ситуация наблюдается и в России. В частности, в журнале «Воздушно-космическая оборона» за 2008 г. отмечается [1]: «Сегодня проблема элементной базы приобрела такую остроту, что ставит под угрозу обеспечение национальной безопасности государства». В настоящей статье рассматривается путь преодоления возникших проблем, который иллюстрируется на примере создания отечественных навигационно-связных терминалов.

1. Состояние элементной базы РЭА образцов вооружения и военной техники

Большинство эксплуатируемых в настоящее время в Республике Беларусь образцов вооружения и военной техники было разработано в 60 - 80-е годы прошлого столетия. Радиоэлектронная аппаратура этих образцов ВВТ реализована на элементной базе 3-го поколения, включающей интегральные микросхемы (ИС) малой и средней степени интеграции.

В результате анализа номенклатуры электронной компонентной базы (ЭКБ) для разработки и производства радиоэлектронного оборудования для ВВТ выявлено [2]:

основную часть номенклатуры ЭКБ, используемой в изделиях ВВТ в настоящее время и предполагаемой к использованию в перспективе, составляют интегральные микросхемы (рис. 1);

главными поставщиками микросхем являются страны зарубежья, которые поставляют около 92% номенклатуры микросхем (рис. 2).

За прошедшие десятилетия элементная база прошла несколько поколений развития, включая большие интегральные микросхемы (БИС), сверхбольшие интегральные микросхемы (СБИС) и современные системы-на-кристалле (СнК). Можно утверждать, что в эксплуатируемых и еще не устаревших образцах вооружения стоит морально и физически устаревшая элементная база [2]. Данное обстоятельство создало громадные трудности эксплуатации РЭА, собранной на устаревшей элементной базе. Положение усугубляется еще тем, что в связи с развалом Советского Союза и экономическим спадом многие типы интегральных микросхем были сняты с производства ввиду нерентабельности (появилась проблемная элементная база).

Сложившаяся ситуация разрешалась двумя способами. Первый заключался в том, что в серийных образцах ВВТ было разрешено в исключительных случаях использовать элементную базу импортного производства. В дальнейшей практике «исключительный случай» перешел в разряд общепринятых. Это было удобно заказчику, так как снималась проблема поиска отечественных предприятий, способных воспроизвести устаревшую элементную базу в ущерб своему развитию. Применение импортных комплектующих выгодно и разработчику, так как с их помощью можно выполнить вполне обоснованные требования заказчика по габаритам, энергопотреблению и другим характеристикам. В результате появилась еще более сложная проблема - проблема обеспечения безопасности государства, включая военную, промышленную, энергетическую и т.д. Проблема заключается в том, что в состав импортной БИС, а тем более СБИС или СнК, может быть включено специально спроектированное устройство - «закладка», которая в угрожаемый период, период ведения боевых действий или любой другой период может заблокировать работоспособность РЭА, а следовательно, и образца ВВТ, системы управления электростанцией или других жизненно важных объектов.

Рис. 1. Процентный состав номенклатуры элементной базы изделий ВВТ

Рис. 2. Распределение номенклатуры ИС по странам-поставщикам

Второй способ заключался в восстановлении производства морально устаревшей элементной базы. Первые же примеры использования данного способа показали его экономическую неэффективность и техническую неоправданность. Финансовые и производственные затраты на возобновление производства морально и физически устаревших микросхем, с одной стороны, сравнимы с разработкой новых БИС и СБИС, способных заменить десятки и сотни устаревших микросхем. С другой стороны, эти затраты не приводят к улучшению технических и эксплуатационных характеристик РЭА.

2. Путь преодоления кризисной ситуации с элементной базой РЭА ВВТ

Альтернативой вышеперечисленным способам замены устаревшей элементной базы является внедрение методологии виртуальной элементной базы, позволяющей в эксплуатируемых и разрабатываемых образцах ВВТ использовать физическую элементную базу, реализованную по новейшим технологическим нормам полупроводниковой технологии [3].

Методология виртуальной элементной базы в первую очередь ориентирована на уменьшение стоимости и сроков разработки, исключение итераций перепроектирования СБИС и СнК и возможности несанкционированных «закладок». Базовые составляющие инфраструктуры технологии виртуальной элементной базы совпадают с инфраструктурой разработки и производства специализированных СБИС и СнК [4] (полупроводниковые фабрики, полупроводниковые дизайн-центры, компании автоматизации проектирования), однако перечень задач, решаемых дизайн-центром и полупроводниковой фабрикой, существенно перераспределяется, возрастает сложность задач, решаемых дизайн-центром. Изменяется и содержание отдельных этапов маршрута проектирования.

Основным базовым звеном инфраструктуры технологии виртуальной элементной базы должны составлять специализированные полупроводниковые дизайн-центры. Они берут на себя практически все этапы проектирования, причем их функции и решаемые задачи значительно расширяются и усложняются по сравнению с традиционными задачами, решавшимися ранее полупроводниковыми центрами и разработчиками электронно-компонентной базы. В частности, только специализированные дизайн-центры способны решить такие сложные задачи, как ликвидация проблемной элементной базы и устранение возможности несанкционированных «закладок» в РЭА образцов ВВТ.

Основные затраты (финансовые и временные) на проектирование и разработку опытных образцов СБИС и СнК приходятся на этап проектирования, выполняемый дизайн-центром (более 90% финансовых затрат и 75% временных затрат). Непосредственно на долю производства опытных образцов приходится менее 10% суммарных затрат, временные затраты на производство опытных образцов СнК не превышают 25% суммарных временных затрат. Дизайн-центры, непосредственно проектирующие специализированные СнК, могут не иметь собственного полупроводникового производства, так как это экономически неоправданно. После доведения проекта до топологического уровня проектирования и оформления фрагментов схем в виде IP-блоков (Intellectual Property - интеллектуальная собственность), пригодных для повторного использования, дизайн-центры могут по определенным соображениям выбирать независимые полупроводниковые фабрики любых стран для серийного производства проектируемых схем по критерию «время - стоимость».

Отличительной особенностью маршрута проектирования СБИС и СнК по технологии виртуальной элементной базы является разработка и стандартное оформление IP-блоков практически для каждого этапа маршрута проектирования с последующим включением в библиотеку IP-блоков данного этапа проектирования. Иными словами, технология виртуальной элементной базы предусматривает в обязательном порядке завершать выполнение работ каждого уровня маршрута проектирования и отдельных этапов оформлением IP-блоков. В результате формируется информационная база для обеспечения повторного проектирования при переводе элементной базы на более новые технологические нормы и постоянно расширяющаяся информационная база для проектирования РЭА новейших образцов ВВТ. Единые, стандартные правила оформления IP-блоков различных уровней и этапов проектирования позволяют осуществить преемственность сформированных IP-блоков по вертикали при переходе от одного этапа к другому и преемственность сформированных IP-блоков по горизонтали в случае необходимости замены устаревшей элементной базы и повторном проектировании СнК.

Таким образом, создается библиотека фрагментов функционально законченных узлов РЭА в виде IP-блоков для каждого уровня проектирования, которая постоянно наращивается при осуществлении очередных этапов обновления устаревшей элементной базы. Именно наличие библиотек дизайн- центров, выполненных в виде IP-блоков и HDL-описаний (HDL - Hardware Description Language, язык описания аппаратных ресурсов) фрагментов схем, дает возможность существенно сократить сроки последующих этапов модернизации РЭА и своевременной замены устаревшей элементной базы. Наличие развитых библиотек IP-блоков различных уровней и этапов проектирования позволяет существенно сократить финансовые и временные затраты на разработку РЭА перспективных образцов ВВТ.

Рис. 3. маршрут проектирования снк по технологии виртуальной элементной базы

Маршрут проектирования СнК по технологии виртуальной элементной базы представлен на рисунке 3.

Основной отличительной особенностью маршрута проектирования по технологии виртуальной элементной базы является новая проектная основа информационной базы в виде комплекса совместимых библиотек IP-блоков различных уровней и этапов проектирования, выделенных на рисунке 3 тонированием.

На рисунке 3 представлен вариант маршрута проектирования, когда в распоряжении разработчиков дизайн-центра уже имеются первичные библиотеки IP-блоков для отдельных этапов маршрута проектирования, т.е. вариант, когда прошли первичные этапы «латентной модернизации» [5]. Подробное содержание этапов маршрута проектирования СнК изложено в [3; 5]. Отметим ниже особенности, связанные с технологией виртуальной элементной базы.

Системный уровень проектирования разделяется на два этапа: 1-й этап - разработка алгоритмической модели и ее верификация; 2-й этап - разработка модели макроархитектуры и ее верификация.

На этапе алгоритмического проектирования разрабатывается обобщенная алгоритмическая модель радиоэлектронной аппаратуры на высшем уровне абстракции и осуществляется ее верификация. Исходной спецификацией для построения алгоритмической модели являются системные требования, предъявляемые к проектируемой аппаратуре (требования по производительности, пропускной способности, точности и др.). С целью преемственности последовательных виртуальных моделей различных уровней проектирования, алгоритмическая модель создается с привлечением языков высокого уровня (например С/С++) и предусматривает блоки генерации тестовых воздействий для осуществления ее верификации. Алгоритмическая модель должна проанализировать, работоспособен ли выбранный математический алгоритм, выполняет ли проектируемая система заданные функции, обеспечиваются ли заданные требования по производительности, точности и другим характеристикам. Если модернизация связана только с заменой устаревшей элементной базы и остальные системные требования практически не изменились, то задача алгоритмического этапа проектирования существенно упрощается и основная тяжесть системного уровня проектирования ложится на этап разработки модели макроархитектуры. Верифицированная алгоритмическая модель является эталоном для проверки правильности функционирования виртуальных моделей низших уровней абстракции.

Этап разработки модели макроархитектуры и ее верификация является наиболее ответственным во всем маршруте проектирования. Именно на этом этапе формируется облик проектируемой РЭА, синтезируются макроархитектуры будущих СБИС или СнК. На втором этапе системного проектирования подключаются архитекторы дизайн-центра. Архитекторы формируют облик проектируемой системы, определяют состав и укрупненную структурную схему и для каждого из блоков укрупненной структурной схемы выбирают возможные варианты их исполнения из имеющегося набора библиотеки IP-блоков. Именно эти, ранее созданные IP-блоки, входящие в состав библиотеки системного уровня, являются своего рода комплектующими (кирпичиками) для реализации отдельных блоков укрупненной структурной схемы проектируемой РЭА или их совокупности на элементной базе с более высокими технологическими нормами.

В результате выполнения второго этапа системного уровня для дальнейшего проектирования могут быть предложены несколько вариантов макроархитектуры. В зависимости от сложности проектируемой схемы и современного уровня технологии производства интегральных микросхем каждый вариант может состоять из одного, двух и более IP-блоков (прообразов будущих СнК, и СБИС).

Отличительной чертой технологии виртуальной элементной базы является обязательное оформление каждого варианта в виде совокупности верифицированных, стандартизированных и документально оформленных IP-блоков (множество Smj). В результате библиотека IP-блоков макроархитектурного уровня проектирования наращивается

где Smj - множество сформированных и документально оформленных на данном этапе проектирования IP-блоков уровня макроархитектуры;

Smi - множество IP-блоков библиотеки макроархитектуры предыдущего этапа разработки;

Smk - объединенное множество IP-блоков библиотеки макроархитектуры.

Логический уровень проектирования включает 4 этапа:

1-й этап - разработка RTL-моделей;

2-й этап - моделирование и прототипирование СБИС на ПЛИС;

3-й этап - логический синтез и оптимизация на вентильном уровне;

4-й этап - вентильная верификация.

Содержание этапов логического проектирования по технологии виртуальной элементной базы практически совпадает с содержанием этих этапов при классическом проектировании СнК, но имеются и некоторые отличия.

На первом этапе логического уровня проектирования производится разработка и отладка поведенческой модели на уровне регистровых передач. Исходной информацией для синтеза виртуальной модели проектируемой системы на уровне регистровых передач (HDL-описаний) являются виртуальная модель макроархитектуры проектируемой системы и библиотека фрагментов схем (библиотека IP-блоков RTL-моделей). На данном этапе разработчиками СнК решается задача, можно ли интегрировать всю модернизируемую РЭА в один кристалл при существующих технологических нормах, доступных для дизайн-центра, или необходимо предусмотреть несколько кристаллов и специализированных СБИС.

Технология виртуальной элементной базы предусматривает обязательное оформление каждого варианта в виде совокупности верифицированных, стандартизированных и документально оформленных IP-блоков RTL-моделей (множество Srj). В результате библиотека IP-блоков RTL-моделей наращивается

где Srj - множество сформированных и документально оформленных на данном этапе проектирования IP-блоков RTL-моделей;

Sri - множество IP-блоков библиотеки RTL-моделей логического уровня проектирования предыдущего этапа разработки;

Srk - объединенное множество IP-блоков библиотеки RTL-моделей.

Аналогичное требование формирования и пополнения библиотек IP-блоков относится и к этапам прототипирования проектируемой схемы на программируемых логических интегральных микросхемах (ПЛИС) и логического синтеза на вентильном уровне:

где Sfj - множество сформированных и документально оформленных на данном этапе проектирования IP-блоков в базисе ПЛИС;

Sfl - множество IP-блоков в базисе ПЛИС предыдущего этапа разработки;

Sfk - объединенное множество библиотеки IP-блоков в базисе ПЛИС.

где Svj - множество сформированных и документально оформленных на данном этапе проектирования IP-блоков вентильного уровня;

Svi - множество IP-блоков библиотеки вентильного уровня предыдущего этапа разработки;

Svk - объединенное множество библиотеки IP-блоков вентильного уровня.

Развитые и постоянно пополняющиеся библиотеки IP-блоков интеллектуальной собственности различных уровней и этапов проектирования технологии виртуальной элементной базы, оформленные по стандартным правилам, являются мощным средством для постоянной модернизации, обеспечивающей практически неограниченный жизненный цикл РЭА и создание перспективных образцов РЭА ВВТ.

Для обеспечения возможности многократного использования и преемственности блоки интеллектуальной собственности библиотек различных уровней технологии виртуальной элементной базы должны удовлетворять единым требованиям их оформления. Существует международный стандарт оформления IP-блоков интеллектуальной собственности VSIA (Virtual Socket Interface Alliance - Виртуальный Альянс Взаимодействия). Ведомственные стандарты оформления IP-блоков должны, с одной стороны, удовлетворять требованиям международных стандартов, с другой стороны - учитывать специфические требования ведомства, в нашем случае военного.

Таким образом, основными особенностями методологии виртуальной элементной базы являются:

использование новейших достижений полупроводниковой технологии создания СБИС и СнК;

новая, постоянно расширяющая и обновляющаяся информационная база проектирования в виде комплекса совместимых библиотек IP-блоков различных уровней и этапов проектирования;

спиральная модель маршрута проектирования СБИС и СнК, обеспечивающая возможность исключения процесса перепроектирования;

преемственность библиотек IP-блоков по вертикали и горизонтали;

существенное перераспределение функций, составляющих инфраструктуру проектирования и производства специализированных СБИС и СнК, в пользу дизайн-центров.

Основным механизмом совершенствования РЭА по технологии виртуальной элементной базы является операция многократных «сверток», обеспечивающая интеграцию РЭА, реализованную на проблемной и устаревшей элементной базе, в один или несколько кристаллов (БИС, СБИС, СнК) на передовых технологиях проектирования и производства интегральных микросхем.

Технология виртуальной элементной базы позволяет осуществить:

своевременную замену элементной базы РЭА, обеспечивающую существенное продление жизненного цикла эксплуатируемых образцов ВВТ и исключающую возможность несанкционированных «закладок» и появления проблемной элементной базы;

эволюционное создание качественно новых образцов ВВТ за счет реализации элементной базы РЭА субмикронных и нано-технологий;

проектирование, производство и в конечном итоге создание новейших образцов В ВТ на новых принципах и технических решениях, но в существенно короткие сроки и с меньшими экономическими затратами, за счет использования развитых библиотек IP-блоков различных уровней проектирования.

Выше отмечалось, что в общем виде инфраструктура проектирования и производства СБИС, СнК должна включать три основные составляющие: полупроводниковые фабрики, полупроводниковые дизайн-центры, компании автоматизации проектирования.

На повестке дня многих государств, занимающихся разработкой и производством РЭА, стоит вопрос: в какую конкретно составляющую инфраструктуры проектирования и производства СБИС и СнК следует в первую очередь вкладывать средства, чтобы обеспечить создание конкурентоспособной РЭА отечественной разработки? Естественно, престижно иметь все составляющие, однако это очень дорого и доступно только очень развитым государствам. Первоначально напрашивается ответ: в полупроводниковую фабрику, так как только фабрика производит и поставляет конечный продукт (СБИС и СнК). Однако приобретение фабрики, не поддержанное разработками дизайн-центров, способных ее загрузить, экономически неоправданно. Экономически более оправдано вкладывать средства в дизайн-центры, так как создать дизайн-центры значительно дешевле по сравнению с полупроводниковой фабрикой, особенно если они создаются не на пустом месте и у государства имеется соответствующий научно-технический потенциал. Именно дизайн-центры создают проект СБИС и СнК, включая его топологию. Полученный продукт можно произвести на многих независимых полупроводниковых фабриках других стран, причем внедриться в проект, в том числе осуществить различного рода «закладки», в отведенные ограниченные сроки серийного производства практически невозможно, так как любые изменения требуют перепроектирования, т.е. повторного прохождения маршрута проектирования.

Для Республики Беларусь наиболее приемлем путь создания ведомственных дизайн-центров, так как в Республике Беларусь имеется необходимый научно-технический потенциал. Покажем это на примере создания отечественного навигационного приемного оборудования.

Выбор в качестве примера навигационного приемного оборудования не случаен. Во-первых, приемник спутниковых навигационных сигналов по современным технологическим полупроводниковым нормам может быть выполнен на одном кристалле (система-на-кристалле). Такую разработку по технологии виртуальной элементной базы может выполнить только дизайн-центр. Во-вторых, современное навигационное обеспечение вооруженных сил во многом определяет успех (или не успех) достижения целей в локальных конфликтах и войнах.

3. Создание навигационных модулей мирового уровня в республике Беларусь

Навигационные измерения основаны на приеме сигналов от спутниковых и наземных стационарных и мобильных радионавигационных систем. В настоящее время в мире пока имеются три спутниковые навигационные системы (СНС) - GPS, ГЛОНАСС, GALILEO, в стадии создания находится СНС Китайской Народной Республики, работы по созданию СНС ведутся и в других странах.

Основными комплектующими изделиями для навигационных измерений являются навигационные приемоизмерители и навигационно-связные терминалы.

В Республике Беларусь на протяжении десятка лет ведутся активные работы по проектированию навигационных модулей для приема и обработки радионавигационных сигналов различных СНС (ГЛОНАСС, GPS, GALILEO) на базе специализированных СБИС и СнК.

Белорусским дизайц-центром, специализирующемся в области навигационных измерений, созданы и находятся в стадии проектирования несколько поколений микросхем СБИС и СнК для спутниковой навигации (рис. 4).

При проектировании были использованы ранее сформированные блоки, оформленные в виде IP-блоков библиотек макроархитектурного и логического уровней, с целью повторного применения внутри компании. Четкие и подробные спецификации на блоки и их стандартное описание позволили интегрировать IP-блоки в навигационные модули различных поколений с минимальными издержками.

Рис. 4. маршрут проектирования СнК по технологии виртуальной элементной базы

На рисунке 4 тонированием выделены блоки (модули навигационного тракта, выполненные в виде СБИС и СнК), разработанные дизайн-центром. Основным отличием микросхем I и II поколений являются технологические нормы (I - 0,6 мкм, II - 0,35 мкм). Навигационный процессор в модулях I и II поколений является импортным. В настоящее время в стадии проектирования находится двухкристалльный навигационный модуль III поколения по технологическим нормам 0,13 мкм, в котором блоки коррелятора и процессора объединены в одном кристалле, планируется к проектированию однокристальный навигационный модуль IV поколения по технологическим нормам 0,09 мкм.

Представленные на рисунке 4 навигационные модули могут интегрироваться в навигационно-связные терминалы различной конструкции и различных сфер применения. В минимальной конфигурации для создания законченного продукта, например пассивного навигационно-связного терминала, кроме навигационного модуля требуются только:

миниатюрная керамическая спутниковая антенна (также может быть интегрирована в модуль);

узел для передачи навигационных данных на устройство потребителя, функции которого могут выполнять USB разъем, GPRS модем, Bluetooth адаптер и т.д.;

блок питания (аккумулятор);

корпус.

Планируемый к производству отечественный многосистемный (СНС ГЛОНАСС, GPS, GALILEO) двухкристалльный навигационный модуль практически не уступает лучшим одно-системным зарубежным образцам по таким характеристикам, как потребляемая электроэнергия, габариты и вес. Однако, что наиболее важно для Республики Беларусь, разрабатываемый отечественный навигационный модуль имеет совершенно новые качественные характеристики:

многосистемность (возможность приема трех СНС ГЛОНАСС, GPS, GALILEO), что обеспечивает независимость от стран - обладателей СНС и улучшение ряда технических характеристик (повышение точности, надежности, живучести и т.д.);

полная защита от аппаратных и программных «закладок», что обеспечивает национальную безопасность государства.

Сравнительная характеристика навигационного модуля российской разработки и двухкристалльного навигационного модуля отечественной разработки представлена в таблице 1. По основным техническим характеристикам (габариты, вес, потребляемая энергия) навигационный модуль РБ превосходит навигационный модуль РФ на порядок. Отечественная разработка навигационной аппаратуры стимулирует и ряд других преимуществ, в том числе и экономических. В таблице 2 приведены сравнительные данные закупки навигационных модулей РФ и РБ и возможная прибыль от приобретения навигационных модулей отечественной разработки.

Предварительные оценки показывают, что средства, вложенные в разработку и производство отечественных навигационных модулей, не только окупятся, но и принесут ощутимую прибыль по сравнению с закупаемыми навигационными модулями российского производства.

Таким образом, можно утверждать, что в Республике Беларусь имеются достаточно высокий научно-технический потенциал и опыт проектирования СБИС и СнК по субмикронным и нанотехнологиям для разработки конкурентоспособной радиоэлектронной аппаратуры мирового уровня. Переход на новые технологические принципы обеспечит опережающий «рывок» Республики Беларусь в разработке и производстве перспективной радиоаппаратуры, конкурентоспособной на международных рынках, обеспечит высокую живучесть основополагающих составляющих жизнедеятельности государства, военную безопасность и независимость государства.

ЛИТЕРАТУРА

1. Колганов С.К., Лазаревич Э. Г. Путь к кристаллу// Воздушно-космическая оборона. - М.: 2008. - № 6(43). - С. 66 - 73.

2.Разработкапредложенийпоунификацииэлектроннойкомпонент-ной базы, применяемой в радиоэлектронной аппаратуре создаваемых (модернизируемых) отечественных изделий военной техники. - Отчет о НИР ГУ «НИИ ВС РБ». - Минск, 2008. - С. 263.

3. Лазаревич Э.Г., Колганов С.К., Алдошин В.М. Виртуальная элементная база - новая концептуальная основа обеспечения модернизации и создания перспективных образцов вооружения // Наука и военная безопасность. - Минск: 2006. - № 3. - С. 21-25.

4. Немудров В., Мартин Г. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие. - Москва: - Техносфера, 2004. - 216с.

5. Колганов С.К., Лазаревич Э.Г., Алдошин В.М. Системы на кристалле - новый подход к повышению эффективности эксплуатации и модернизации радиоэлектронных систем, созданию их перспективных образцов//Вопросы оборонной техники. - М.: 2006. - Серия3.-№2(333). - С. 3-7.

---