Технологическая основа обеспечения военной безопасности государства
НАУКА И ВОЕННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ № 2/2007, стр. 32-36
Технологическая основа обеспечения военной безопасности государства
УДК 621.382
Э.Г.ЛАЗАРЕВИЧ,
ведущий научный сотрудник
Научно-исследовательского института
Вооруженных Сил Республики Беларусь,
доктор технических наук, профессор
С.К. КОЛГАНОВ,
заместитель генерального директора
ОАО «Конструкторское бюро-1»,
доктор технических наук, профессор,
заслуженный военный специалист Российской Федерации
А.Н. СЕМАШКО,
главный Научный сотрудник
Научно-исследовательского института
Вооруженных Сил Республики Беларусь,
доктор технических наук, профессор
Рассматривается проблема создания современного технологического базиса наносекундных технологий для проектирования радиоэлектронной аппаратуры, обосновывается целесообразность его внедрения для обеспечения военной безопасности государства и пути реализации, а также формулируются основные задачи, решение которых обеспечит внедрение нано-технологий в модернизируемые и создаваемые образцы вооружения.
Анализ вооруженных конфликтов последних лет показывает, что традиционные взгляды на ведение вооруженной борьбы претерпели существенные изменения. На первый план выходят такие формы борьбы, как информационная и экономическая. Основные усилия будут направлены не на физическое уничтожение, а на вывод из строя ключевых объектов, разрушение их информационного пространства, источников интеллекта, навигационных систем наведения, систем и средств управления в целом [1].
Войны будущего, связанные с завоеванием мирового превосходства, будут ориентированы на принуждение к капитуляции неподготовленных в информационном и экономическом плане противников путем внедрения хаоса, паники и временного вывода из строя основополагающих составляющих жизнедеятельности государства без их физического уничтожения. Подготовка к ведению таких войн со стороны претендентов на мировое господство проводится на протяжении нескольких десятилетий и включает информационную, экономическую, политическую, психологическую и др. составляющие.
Технологическим базисом такой подготовки на современном уровне развития полупроводниковой технологии, и это на первый взгляд кажется довольно неожиданным, является электронно-компонентная база автоматизированных систем управления государством, объектов народного хозяйства, органов военного управления, образцов вооружения и военной техники, выполненная на уровне современных нанотехнологий.
Современный уровень развития нанотехнологий с проектными нормами менее 130 нм в состоянии разместить в сверхбольшой интегральной микросхеме (СБИС) или в системе на кристалле (СнК), кроме функционально необходимых устройств и узлов, некоторый функциональный узел, который по определенному сигналу может заблокировать работоспособность всей СБИС или СнК. Если электронно-компонентная база автоматизированных систем управления и образцов вооружения и военной техники выполнена на современных СБИС и СнК импортного производства, то у противоположной стороны нет необходимости в физическом уничтожении объектов при развязывании военного конфликта. Достаточно послать соответствующие сигналы и временно заблокировать системы управления, нарушить энергоснабжение или полностью отключить электроэнергию, нарушить связь, заблокировать навигационные приемники и т.д., что приведет к хаосу, панике и деморализации войск и населения.
Следовательно, государство, претендующее на суверенитет, независимость и военную безопасность, должно иметь отечественный современный технологический базис полупроводникового производства систем-на-кристалле (далее по тексту - нанотехнологий), что исключает возможность блокирования извне средств и систем государственного и военного управления, образцов вооружения и военной техники и других основополагающих составляющих жизнедеятельности государства.
Остановимся более подробно на основных аспектах разработки и производства систем-на-кристалле и проведем тактико-технико-экономическую оценку целесообразности их проектирования собственными силами государств с ограниченными финансовыми ресурсами.
Основной составной частью современных и тем более перспективных образцов вооружения и военной техники, средств автоматизации управления и информационного обеспечения является радиоэлектронная аппаратура (РЭА). Современный мировой уровень нанотехнологий позволяет реализовать функционально законченные узлы или даже в целом всей радиоэлектронной аппаратуры некоторого образца вооружения в одном кристалле, например, тракт цифровой обработки сигнала радиолокационной станции, приемник радионавигационных сигналов и т.д. Именно по этому пути идет в настоящее время модернизация существующих и создание новых и перспективных образцов вооружения. Иллюстрацией таких возможностей является развитие бытовой техники.
Инфраструктура проектирования, производства и применения СнК широкого применения приведена в [2], а для специализированных СнК систем вооружения в [3, 4]. В [4, 5] обосновано, что инфраструктура разработки и производства специализированных СнК должна включать специализированные полупроводниковые предприятия, в последнее время получившие название дизайн-центров, ориентированные на проектирование элементной базы для определенного ведомства, самостоятельные фабрики полупроводникового производства и самостоятельные компании автоматизации проектирования.
На этапе проектирования основная роль принадлежит дизайн-центрам. Они берут на себя практически все этапы проектирования, причем их функции и решаемые задачи значительно расширяются и усложняются по сравнению с традиционными задачами, решавшимися ранее полупроводниковыми центрами и разработчиками электронно-компонентной базы.
Технология создания специализированных СнК требует тесного взаимодействия разработчиков РЭА и компонентной базы. Большие возможности современного уровня полупроводниковой технологии позволяют реализовывать СБИС и СнК высокой архитектурной сложности, создавать РЭА образца вооружения полностью на одной или нескольких специализированных СнК. Это обстоятельство приводит к тому, что при создании специализированных СБИС и СнК разработчики РЭА неизбежно становятся непосредственными участниками проектирования СнК, поскольку только они точно знают, что должно получиться «на выходе». С другой стороны, и проектировщики элементной базы должны обладать определенными системными знаниями, причем чем глубже будут эти знания в конкретной прикладной области, тем более качественной будет проектируемая система-на-кристалле.
Следовательно, разработчики РЭА для создания специализированных СнК должны привлекать специализированные полупроводниковые дизайн-центры. Для обеспечения качественной разработки такие дизайн-центры должны обладать опытом производства больших, сверхбольших интегральных микросхем и систем-на-кристалле, а их сотрудники должны обладать системными знаниями в предметной области производителя РЭА.
Очевидно, что взаимоотношения между разработчиками РЭА и элементной базы должны быть настолько тесными, что представляется логичным иметь дизайн-центры в составе организаций - разработчиков РЭА. Необходимость включения дизайн-центров в состав разработчиков РЭАдиктуется также следующим обстоятельством. Только специализированные дизайн-центры могут создать библиотеку фрагментов функционально законченных узлов РЭА для определенного ведомства, например ВВС и войск ПВО, и постоянно ее наращивать при осуществлении модернизации и создании новых образцов ВВТ Именно наличие библиотек дизайн-центров, выполненных в виде IP-блоков (Intellectual Property - интеллектуальная собственность) и HDL-описаний (HDL - Hardware Description Language, язык описания аппаратных ресурсов) фрагментов схем, независимых от непосредственных производителей интегральных микросхем, дает возможность существенно сократить сроки последующих этапов модернизации РЭА и своевременной замены устаревшей элементной базы. Кроме того, наличие развитых библиотек фрагментов схем может существенно сократить затраты на разработку РЭА перспективных образцов ВВТ.
Усредненная временная диаграмма процесса проектирования и производства СнК и стоимости основных этапов проектирования и производства, полученная по данным полупроводниковых дизайн-центров разработчиков систем-на-кристалле, приведена на рис. 1.
На рис. 1 приняты следующие обозначения:
Т - время проектирования и производства СнК в относительных единицах;
у.е. - стоимость проектирования и производства СнК в условных единицах;
1 - этап проектирования, включающий системный, логический и топологический уровни проектирования;
2 - непосредственно этап производства СнК на независимой полупроводниковой фабрике;
3 - заключительный этап проектирования СнК, включающий тестирование конечного продукта.
Тонированием выделены этапы проектирования, которые могут и должны выполняться при разработке специализированных СнК самостоятельным дизайн-центром (для военных и специальных ведомств).
Из диаграммы следует, что основные затраты на разработку СнКприходятся на этап проектирования (этап 1), непосредственно на долю производства приходится менее 10% суммарных затрат, временные затраты на производство СнК не превышают 3% суммарных временных затрат. Следовательно, дизайн-центры, непосредственно проектирующие специализированные СнК, могут не иметь (скорее всего, не должны иметь) собственное полупроводниковое производство, так как это экономически не оправдано. После доведения проекта до топологического уровня проектирования и оформления фрагментов схем в виде IP-блоков, пригодных для повторного использования, дизайн-центры могут по определенным соображениям выбирать полупроводниковые фабрики любых стран из числа существующих для серийного производства проектируемых схем по критерию время - стоимость.
Таким образом, основу при создании отечественных специализированных систем-на-кристалле должны представлять специализированные полупроводниковые дизайн-центры. Здесь могут быть два варианта:
государство имеет достаточно высокий научно-технический потенциал для проектирования БИС, СБИС и СнК широкого применения;
в государстве практически отсутствуют полупроводниковые фирмы - разработчики СБИС и СнК, отсутствует научно-технический потенциал для проектирования интегральных микросхем.
В первом случае для создания отечественных специализированных СБИС и СнК необходимо на базе имеющихся полупроводниковых фирм создать специализированные дизайн-центры. При этом основные затраты на создание специализированных СнК будут определяться этапом проектирования (рис.1).
Во втором случае государству необходимо приглашать легионеров - специалистов проектирования систем-на-кристалле, в первую очередь системных архитекторов, закупать соответствующее оборудование и создавать собственные дизайн-центры проектирования специализированных СБИС и СнК. Это потребует существенных материальных затрат, более чем на порядок превышающих затраты первого варианта, однако позволит обеспечить военную безопасность государства.
Целесообразность создания отечественных специализированных систем-на-кристалле рассмотрим на примере топогеодезического и навигационно-временного обеспечения. Выбор в качестве примера топогеодезического обеспечения определяется следующими обстоятельствами:
преимущество в навигационном и топогеодезическом обеспечении во многом определяет успех (или неуспех) проведения войны. Поэтому данному направлению во всех ведущих государствах мира уделяется первостепенное внимание, о чем, в частности, свидетельствуют активные работы государств Европы по созданию собственной космической навигационной системы. Также резко повысилось внимание к этой проблематике в России;
военно-научное сопровождение опытно-конструкторских работ, выполняемых НИИ ВС РБ, выявило ряд проблем топогеодезического и навигационно-временного обеспечения Республики Беларусь.
В Государственной программе вооружения на 2006 - 2015 гг. предусмотрены значительные средства на создание аппаратуры передачи и оснащение войск аппаратурой приема радионавигационной информации, включающие:
создание передающей отечественной региональной интегрированной навигационной системы (РИНС) на базе перспективных, разрабатываемых в РБ мобильных импульсно-фазовых радионавигационной системы (ИФРНС) и модернизируемой стационарной радионавигационной системы ИФРНС РСДН-3/10;
оснащение войск Республики Беларусь современной приемной навигационной аппаратурой (отметим, что современная и перспективная приемная радионавигационная аппаратура РБ планируется на импортных приемниках спутниковых радионавигационных систем ГЛОНАСС и GPS).
Следует отметить, что термины «создание» и «оснащение» не являются синонимами. Создание предполагает разработку, производство, в том числе и оснащение. Оснащение войск радионавигационной приемной аппаратурой в основном планируется за счет импортных спутниковых радионавигационных приемников (приемоизмерителей СНС ГЛОНАСС и GPS).
Ориентация на импортные приемоизмерители СНС ГЛОНАСС и GPS неэффективна, так как не может обеспечить защиту информации и предотвратить возможность несанкционированной блокировки приемоизмерителей. Кроме того, создание отечественной передающей региональной интегрированной радионавигационной системы без создания (разработки, производства и оснащения войск) отечественных приемоизмерителей СНС ГЛОНАСС, GPS, Galileo и радионавигационной приемной аппаратуры на их базе не имеет смысла. Здесь можно привести множество обоснований, но главным обоснованием является довольно прозрачный факт: любой импортный спутниковый радионавигационный приемник может содержать в своем составе функциональный узел, способный по соответствующему сигналу в угрожаемый период, а тем более в период ведения боевых действий, заблокировать приемоизмеритель (приемоизмерители всей РИНС). Своевременное обнаружение такого узла имеющимися отечественными контрольными средствами весьма проблематично.
Исходя из вышесказанного, можно сделать следующие выводы:
создание передающих систем РИНС имеет смысл только в случае с оздания отечественных радионавигационных приемников, способных принимать информацию по одновременному параллельному приему навигационных сигналов трех глобальных навигационных спутниковых систем (GPS, ГЛОНАСС и Galileo), а также сигналов отечественной РИНС;
возможно создание отечественной РИНС в случае оснащения Вооруженных Сил Республики Беларусь современной приемной радионавигационной аппаратурой пользователей российского производства, базирующейся на комплектующих белорусской разработки и производства (радиочип и чип навигационного процессора, прием навигационных сигналов трех глобальных навигационных спутниковых систем GPS, ГЛОНАСС и Galileo). Следует отметить, что этот, в принципе возможный, вариант значительно уступает предыдущему как по техническим характеристикам, так и по экономическим затратам по следующим причинам:
1. Проектирование основных комплектующих (радиочип и чип навигационного процессора), планируемых к производству в РФ приемоизмерителей СНС ГЛОНАСС и GPS, производится в РБ.
2. В настоящее время Республика Беларусь закупает в РФ устаревшие радионавигационные приемники спутниковых систем GPS, ГЛОНАСС, которые по своим техническим характеристикам неконкурентоспособны по сравнению с американскими и европейскими навигационными приемниками.
3. Республика Беларусь способна собственными силами в течение ближайших двух лет разработать и произвести отечественный радионавигационный приемник, выполненный по технологии «система-на-кристалле», который по своим характеристикам будет превосходить не только российские, но и наиболее современные зарубежные образцы радионавигационных приемоизмерителей.
В таблице 1 приведены основные характеристики закупаемых в настоящее время в РФ навигационных приемников и характеристики перспективного навигационного приемника, выполненного в базисе нанотехнологий систем-на-кристалле, который может быть разработан в Республике Беларусь в течение 2-х лет.
Примечание:
1 Приведенные в таблице радионавигационные приемоизмерители российского производства разработаны на устаревшей элементной базе, включающей десятки комплектующих, в основном импортного производства. Стоимость закупаемых в РФ устаревших навигационных приемников составляет 700$ за 1шт. и выше, в зависимости от комплектации и фирмы-изготовителя.
2. В РФ выполнена разработка более современных навигационных приемоизмерителей, включающих трех- или двухкристалльное однокорпусное решение (проектные нормы 0,36 мкм), однако их производство пока не налажено, во всяком случае для Республики Беларусь. В настоящее время Беларусь вынуждена закупать устаревшие приемоизмерители.
3. Базовые комплектующие более современных российских навигационных приемоизмерителей, включающих трех- или двухкристалльное однокорпусное решение (радиочип и навигационный процессор, фактически представляющие готовый модуль для приема и обработки навигационных сигналов различных СНС, с проектными нормами 360 нм) разработаны одним из имеющихся в Республике Беларусь полупроводниковым дизайн-центром. Для полноценной работы модуля в качестве приемоизмерителя радионавигационных сигналов необходимо лишь несколько внешних компонент: пассивная или активная антенна, высокочастотный фильтр, кварцевый резонатор, корпус, которые способны разработать и произвести многие белорусские фирмы - производители радиоэлектронной аппаратуры.
4. Республика Беларусь обладает достаточно высоким научно-техническим потенциалом и высококвалифицированными разработчиками (в том числе системными архитекторами), способными в течение 1-2 лет разработать и произвести отечественный перспективный мультисистемный навигационный приемоизмеритель, выполненный по технологии СнК (проектные нормы 0,13 мкм или 90 нм). Он будет превосходить по своим техническим характеристикам все существующие зарубежные радионавигационные приемники СНС. Например, он будет способен осуществлять одновременный параллельный прием радионавигационных сигналов 3-х глобальных СНС (GPS, ГЛОНАСС и Galileo) и радиосигналов разрабатываемой отечественной РИНС. При этом будет практически на 100% гарантирована невозможность несанкционированной блокировки навигационных приемников. Кроме того, отечественный приемоизмеритель будет способен оперативно выявлять непригодность сигналов спутниковых навигационных систем GPS, ГЛОНАСС, Galileo для навигационных определений и др.). Экономические затраты на его разработку окупятся в ближайший год, затем выпуск приемников будет приносить значительную ежегодную прибыль.
Таблица 2
Расчетные данные закупаемых и создаваемых приемоизмерителей
В таблице 2 приведены данные расчета экономического эффекта при условии создания приемников (С2) силами полупроводникового дизайн-центра и радиоэлектронных предприятий Республики Беларусь.
Комментарии к таблице 2.
1. Расчет экономического эффекта прибыли при отечественном производстве приемоизмерителей производился по соотношениям:
С4 - прибыль за 1-й год производства отечественных приемоизмерителей с учетом затрат на разработку: С4 = C1 - (С3+С2), где:
С: - стоимость закупки приемоизмерителей российского производства;
С2 - стоимость разработки отечественного приемоизмерителя;
С3 - стоимость закупки приемоизмерителей отечественного производства;
С 5 - прибыль за второй и последующие годы производства отечественных приемоизмерителей С5 = C1 - С3.
2. Цифры, выделенные в таблице жирным шрифтом, являются отправными для производимых расчетов и могут колебаться в зависимости от множества факторов, однако независимо от их конкретных значений, результаты расчета, приведенные в таблице, дают четкое представление о положительной тенденции роста прибыли при отечественной разработке и производстве радионавигационных приемников.
3. В таблице приведен довольно широкий диапазон цен на разработку отечественного приемоизмерителя (от 3-х до 5-и миллионов долларов в зависимости от требуемых тактико-технических характеристик). Анализ данных получаемой прибыли показывает, что стоимость разработки практически не влияет на получаемую прибыль при серийности производства выше 30 - 50 тысяч приемоизмерителей.
4. Наиболее реальные цифры в потребностях приемоизмерителей для ВС РБ и приемоизмерителей для широкого применения выделены в таблице тонированием. Следует отметить, что при соответствующей рекламе спрос на современные приемоизмерители белорусского производства может значительно возрасти (к примеру, высшие должностные лица России практически еженедельно рекламируют аналогичные средства российского производства). Это, естественно, окупит не только их разработку, но и создание всей отечественной региональной навигационной системы.
Предварительный анализ данных, приведенных в таблице 2, позволяет утверждать:
1. Республика Беларусь способна собственными силами в течение ближайших двух лет разработать и произвести отечественный радионавигационный приемник, выполненный по технологии «система-на-кристалле», который по тактико-техническим характеристикам будет превосходить все зарубежные образцы радионавигационных приемоизмерителей.
2. Создание в ближайшие годы отечественных приемоизмерителей спутниковых навигационных систем GPS, ГЛОНАСС, Galileo и радионавигационной приемной аппаратуры на их базе обеспечит своевременное оснащение войск РБ аппаратурой приема радионавигационной информации, которая по своим тактико-техническим характеристикам не только не будет уступать лучшим зарубежным образцам, но и превосходить их по многим характеристикам (одновременный параллельный прием радионавигационных сигналов 3-х глобальных СНС - GPS, ГЛОНАСС и Galileo и радиосигналов разрабатываемой отечественной РИНС, практически 100% гарантия невозможности несанкционированной блокировки навигационных приемников, возможность оперативно выявлять непригодность сигналов спутниковых навигационных систем GPS, ГЛОНАСС, Galileo для навигационных определений и др.).
3. Создание отечественных приемоизмерителей спутниковых навигационных систем GPS, ГЛОНАСС, Galileo и радионавигационной приемной аппаратуры на их базе экономически оправдано: затраты на разработку навигационных приемоизмерителей окупятся в течение 1 - 2-х лет производства отечественной приемной навигационной аппаратуры; производство разработанных отечественных навигационных приемоизмерителей для оснащения потребителей в РБ и, возможно, в других странах обеспечит значительную прибыль в последующие годы производства приемоизмерителей.
4. Необходимо предусмотреть первоочередное финансирование для создания отечественного радионавигационного приемоизмерителя спутниковых навигационных систем GPS, ГЛОНАСС, Galileo, так как прибыль от его создания окупит затраты на создание всей отечественной региональной интегрированной навигационной системы.
5. Создание в ближайшие несколько лет отечественных радионавигационных приемоизмерителей с проектными нормами 0,13 мкм - 90 нм обеспечит опережающий «рывок» Республики Беларусь в разработке и производстве конкурентоспособной на международном рынке перспективной радионавигационной аппаратуры и получение значительного дохода в бюджет государства.
Следует отметить, что аналогичный эффект от внедрения нанотехнологий можно получить и в других направлениях и областях развития вооружения и народного хозяйства.
Например, можно говорить о так называемых F-метках. F-метки представляют собой микроэлектронное устройство, реализованное в базисе нанотехнологий на одной микросхеме размером 0,5 х 0,5 см. Если прикрепить это устройство к передвигающимся объектам, то в каждый текущий момент времени можно определить передвижение грузов на железнодорожном транспорте (в том числе грузов каждого вагона), автомобильном транспорте, водном транспорте и при авиаперевозках. Это позволяет существенно повысить эффективность управления перевозками.
F-метки могут иметь громадную тиражность, что обеспечит их низкую себестоимость. Например, родители без всяких сомнений отдадут 10 - 20 уе. за F-метку позволяющую определить, где в настоящее время находится их ребенок.
Особо важно внедрение F-меток в спецподразделения. Они позволят в нужный момент времени определить местоположение подразделения, его боекомплект и т.д. Естественно, это имеет смысл только в том случае, если F-метка отечественной разработки.
Выше отмечалось, что создание современных нанотехнологий возможно, если государство имеет необходимый научно-технический потенциал. Первостепенная роль принадлежит научному потенциалу, а конкретно разработчикам, и в первую очередь системным архитекторам систем-на-кристалле. Подготовка таких специалистов занимает десятилетия (20 - 30 лет).
Следует отметить, что в Республике Беларусь такие специалисты в настоящее время есть (не все уехали за рубеж, некоторые уже вернулись). Организована подготовка молодых специалистов этого профиля в ведущих вузах страны. Естественно, грех не воспользоваться их услугами, так как это отечественные разработчики, а следовательно, гарантируется военная безопасность и высокая экономичность разработок по сравнению с закупкой готовой продукции за рубежом.
Исходя из вышеизложенного, приходим к выводам:
1. В Республике Беларусь имеется достаточно высокий научно-технический потенциал и современная технологическая основа нанотехнологий, способные обеспечить разработку отечественных специализированных систем-на-кристалле для радиоэлектронной аппаратуры образцов вооружения и военной техники, автоматизированных систем управления государством и органов военного управления. Применение специализированных систем-на-кристалле обеспечит высокую живучесть основополагающих составляющих жизнедеятельности государства, военную безопасность и независимость государства.
2. Создание в ближайшие несколько лет отечественной нанотехнологий разработки и производства систем-на-кристалле с проектными нормами выше 130 нм обеспечит опережающий «рывок» Республики Беларусь в разработке и производстве перспективной радиоаппаратуры, конкурентоспособной на международных рынках.
3. Нанотехнологий производства систем-на-кристалле являются базовыми для создания технологии виртуальной элементной базы [5]. Технология виртуальной элементной базы - это новый, экономически оправданный путь разработки, производства и постоянного совершенствования РЭА для эксплуатируемых, модернизируемых и перспективных образцов военной техники. Он позволяет решить ряд сложных проблем, связанных с обеспечением требуемых технико-экономических характеристик РЭА в течение всего срока эксплуатации, существенно повысить тактико-технические характеристики эксплуатируемых образцов вооружения и военной техники и, в конечном итоге, продлить сроки службы или жизненный цикл эксплуатируемых и морально не устаревших образцов ВВТ. Не менее перспективно применение этой технологии и в гражданской продукции.
ЛИТЕРАТУРА
1. Мальцев Л.С. Военная безопасность государства и характер будущих войн //Наука и военная безопасность. - 2003. - № 1. -С. 3-8.
2. Немудрое В., Мартин Г. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие. - М.: Техносфера, 2004. - 216 с.
3. Колганов С.К., Лазаревич Э.Г. Новая технологическая основа: системы-на-кристалле - путь к созданию перспективных образцов радиоэлектронной аппаратуры // Воздушно-космическая оборона. - 2006. - № 1(26). - С. 27 - 30.
4. Лазаревич Э.Г., Колганов С.К. Новый технологический базис обеспечения эксплуатации, модернизации и продления жизненного цикла образцов вооружения и военной техники //Наука и военная безопасность. - 2006. - № 2. - С. 50 - 53.
5. Колганов С.К, Лазаревич Э.Г., Алдошин В.М.. Виртуальная элементная база - технологическая основа для обеспечения эксплуатации и модернизации радиоэлектронной аппаратуры военного назначения//Вопросы оборонной техники. - 2006. - Серия 3. -№6(337). -CIS-24.
